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J-GLOBAL ID:200903067449372070

炭素被膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 芝野 正雅
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001148558
Publication number (International publication number):2002038268
Application date: May. 18, 2001
Publication date: Feb. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】 硬質炭素被膜の機械的特性及び化学的安定性を維持しながら、高い導電性を持たせることができる炭素被膜及びその製造方法を得る。【解決手段】 基体上に形成された炭素被膜であって、CO2 分子を含むことを特徴としており、赤外吸収スペクトルにおいて、CO2 分子に基づく2350cm-1付近の吸収ピークAと670cm-1付近の吸収ピークBとが認められることを特徴としている。
Claim (excerpt):
基体上に形成された炭素被膜であって、CO2分子を含むことを特徴とする炭素被膜。
IPC (2):
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101
FI (2):
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 Z
F-Term (15):
4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC02 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030BA27 ,  4K030FA02 ,  4K030FA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA12 ,  4K030JA17 ,  4K030KA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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