Pat
J-GLOBAL ID:200903067449372070
炭素被膜及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
芝野 正雅
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001148558
Publication number (International publication number):2002038268
Application date: May. 18, 2001
Publication date: Feb. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】 硬質炭素被膜の機械的特性及び化学的安定性を維持しながら、高い導電性を持たせることができる炭素被膜及びその製造方法を得る。【解決手段】 基体上に形成された炭素被膜であって、CO2 分子を含むことを特徴としており、赤外吸収スペクトルにおいて、CO2 分子に基づく2350cm-1付近の吸収ピークAと670cm-1付近の吸収ピークBとが認められることを特徴としている。
Claim (excerpt):
基体上に形成された炭素被膜であって、CO2分子を含むことを特徴とする炭素被膜。
IPC (2):
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
FI (2):
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 Z
F-Term (15):
4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC02
, 4G046CC06
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030AA14
, 4K030BA27
, 4K030FA02
, 4K030FA12
, 4K030JA09
, 4K030JA12
, 4K030JA17
, 4K030KA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
化学蒸着法によるダイヤモンドの合成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-023466
Applicant:ナショナル・サイエンス・カウンシル
-
薄膜形成方法および薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-301430
Applicant:京セラ株式会社
-
硬質炭素被膜部材の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-115145
Applicant:日本アイ・ティ・エフ株式会社, 住友電気工業株式会社
-
ダイヤモンド状被膜形成方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-298241
Applicant:三洋電機株式会社
-
硬質炭素被膜の形成方法、及び形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-236801
Applicant:三洋電機株式会社
-
ダイヤモンド状被膜形成方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-261120
Applicant:三洋電機株式会社
-
付着力のあるダイヤモンド薄膜の蒸着方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-212635
Applicant:ミシガンステイトユニバーシティー
Show all
Return to Previous Page