半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006042921
Publication number (International publication number)：2007221066
Application date： Feb. 20, 2006
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：

【課題】微細化された強誘電体キャパシタを有する半導体装置を製造する製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体層を含む強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、基板上の第1の電極上に前記強誘電体層を形成する工程と、前記強誘電体層上に第2の電極を形成する工程とを有し、前記強誘電体層を形成する工程は、BiFeO3を主成分とし、組成がBiFe1-xMnxO3(0.02<x<0.08)となるようにMnが添加される強誘電体層をゾルゲル法により形成する第1の工程と、前記強誘電体層を不活性ガス雰囲気中で焼成して前記強誘電体層を形成する第2の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

強誘電体層を含む強誘電体キャパシタを有する半導体装置であって、前記強誘電体層はBiFeO3を主成分とし、組成がBiFe1-xMnxO3(0.02<x<0.08)となるようにMnが添加され、温度が30°C以下で電界強度が-1MV/cm乃至1MV/cmの場合のリーク電流が10-3A/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (1)：

H01L27/10 444B

F-Term (14)：

5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083JA13 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083JA45 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR23 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

強誘電体メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-173247 Applicant：セイコーエプソン株式会社
薄膜キャパシタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-246849 Applicant：日本電気株式会社
金属酸化物薄膜を有する基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-145783 Applicant：日本特殊陶業株式会社

Cited by examiner (1)

強誘電体メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-173247 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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