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J-GLOBAL ID：200903067696539319

CVD装置およびその基板洗浄方法

Inventor：
市川 一夫

About 市川 一夫

, 
田邉 浩

About 田邉 浩

, 
湯田 克久

About 湯田 克久


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社

, 
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999274216
Publication number (International publication number)：2001102311
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 特別に成膜前処理室を設けず、装置の小型化を図り、基板処理時間を短縮し、製作コストを低減すると共に、活性層の損傷を低減し、絶縁膜を形成する前に良好な界面が得られるCVD装置とその基板洗浄方法を提供する。【解決手段】 プラズマ分離型の絶縁膜成膜チャンバ40は基板が配置される成膜室13に対して分離されたプラズマ生成室21を有するプラズマ生成部14を備える。材料ガスは成膜室に直接的に供給され、成膜室にプラズマ生成部からラジカルが導入され、基板上に薄膜が形成される。さらにプラズマ生成部に洗浄用ガス供給部を付設し、この洗浄用ガス供給部を介して洗浄用ガスを導入しプラズマ生成部でプラズマを作ってラジカルを発生させ、このラジカルを成膜室へ導入し、基板に照射させ、基板を洗浄する。
Claim (excerpt)：
基板が配置される成膜室に対して分離されたプラズマ生成室を有するプラズマ生成部を備え、材料ガスは前記成膜室に直接的に供給され、さらに前記成膜室に、前記プラズマ生成部からその導入孔を通してプラズマ中のラジカルが導入され、これにより前記成膜室で前記基板上に薄膜が形成されるCVD装置において、前記プラズマ生成部に洗浄用ガス供給部を付設し、この洗浄用ガス供給部を介して洗浄用ガスを導入し前記プラズマ生成部でプラズマを作ってラジカルを発生させ、前記導入孔を通して前記ラジカルを前記成膜室へ導入して前記基板に照射させ、前記基板を洗浄するようにしたことを特徴とするCVD装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/20
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/20
F-Term (28)：
4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA30 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA09 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA11 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045BB14 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EB13 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EN04 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052DA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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