プラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999138375
Publication number (International publication number)：2000331993
Application date： May. 19, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマを利用した処理を行なうプラズマ処理装置において、処理速度の高速化と処理の均一性の向上を図る。【解決手段】処理室2内に、一以上の高周波アンテナ7と、試料5と対向する位置に接地された対向電極6を設け、前記高周波アンテナ7は、前記対向電極6の材質の体積固有抵抗の100分の1以下の体積固有抵抗を有する材質から形成されたプラズマ処理装置である。なお、前記高周波アンテナ7は、一部表面を露出するように前記対向電極6に埋め込んでもよい。

Claim (excerpt)：

処理室内の試料に対して処理を行なうためのプラズマ処理装置であって、前記処理室内に、一以上の高周波アンテナと、前記試料と対向し、かつ、接地された対向電極とを備え、前記高周波アンテナに高周波を印加することによって、前記処理室内に誘導結合型プラズマを励起して前記処理を行なうプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 B , H01L 21/31 C

F-Term (24)：

5F004AA00 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB12 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004BC08 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EH08 , 5F045EH11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

チタン系導電性薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288118 Applicant：アネルバ株式会社
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-232287 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-179512 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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