反応性イオンエッチング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八木田茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277798
Publication number (International publication number)：1999121436
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】高効率のプラズマを形成でき、真空チャンバーの壁面温度を制御でき、さらにはダスト発生を抑制できる反応性イオンエッチング装置を提供する。【解決手段】本発明による反応性イオンエッチング装置は、真空チャンバーの側壁部を円筒状の金属で構成し、基板電極に対向して設けた上部電極周辺部にある誘電体部内に高周波コイルを埋め込んで真空チャンバー内に放電アンテナを形成するように構成される。

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に放電プラズマを発生するための高周波コイルを備えたプラズマ発生装置を有し、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空チャンバー内に導入し、低圧でプラズマを形成するとともに導入気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板電極上に載置された基板をエッチングする反応性イオンエッチング装置において、真空チャンバーの側壁部を円筒状の金属で構成し、基板電極に対向して設けた上部接地電極周辺部にある誘電体部内に高周波コイルを埋め込んで真空チャンバー内に放電アンテナを形成したことを特徴とする反応性イオンエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-020842 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体ウェハの処理中にクリーニングするためのクリーニング用電極を備えるRFプラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-324326 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プラズマ処理装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264587 Applicant：松下電器産業株式会社

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