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J-GLOBAL ID：200903067801743830

半導体装置の作製方法

Inventor： 丸山 純矢 ,  神保 安弘 ,  小路 博信 ,  桑原 秀明 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007113778
Publication number (International publication number)：2007318105
Application date： Apr. 24, 2007
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】比較的低温(500°C未満)のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性基板(代表的にはプラスチックフィルム)に転置する技術を提供する。【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜(Mo膜)及びその表面に酸化膜を形成し、モリブデン膜及びその表面上に比較的低温(500°C未満)のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離し、可撓性基板に転置する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にモリブデン膜を形成し、 前記モリブデン膜上に酸化モリブデン膜を形成し、 前記酸化モリブデン膜上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、 前記絶縁膜及び前記非晶質構造を有する半導体膜を前記基板から剥離して可撓性基板に前記絶縁膜及び前記非晶質構造を有する半導体膜を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01Q 1/38

FI (5)：

H01L27/12 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 626C ,  H01Q1/38

F-Term (70)：

5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB13 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL21 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN80 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ21 ,  5J046AA19 ,  5J046PA07 ,  5J046PA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053737   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-079708   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-207536   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-357491   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 剥離および封止可能な装置、ICシート、ICシートの巻物およびICチップの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-216756   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-096593   Applicant：凸版印刷株式会社
• 薄膜集積回路の作製方法、及び素子基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-187582   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-096594   Applicant：凸版印刷株式会社
• 剥離方法および半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-242332   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所