Pat
J-GLOBAL ID:200903067914378683
アモルファスカーボン層の堆積方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001171368
Publication number (International publication number):2002194547
Application date: Jun. 06, 2001
Publication date: Jul. 10, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 アモルファスカーボン膜を用いた集積回路の形成方法。【解決手段】 炭化水素化合物と不活性ガスを含む混合ガスを熱分解することにより、アモルファスカーボン層が形成される。このアモルファスカーボン膜は集積回路製造工程に適合している。1つの集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜はハードマスクとして使用される。別の集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜は深紫外線(DUV)リソグラフィのための反射防止膜(ARC)である。さらに別の集積回路製造工程では、多層アモルファスカーボン反射防止膜がDUVリソグラフィのために用いられる。
Claim (excerpt):
基板上にアモルファスカーボン層を形成する方法であって、堆積チャンバ内に基板を配置するステップと、堆積チャンバへ混合ガスを供給するステップであり、該混合ガスには1つ以上の炭化水素化合物及び不活性ガスを含むステップと、混合ガスを加熱して、混合ガス中の1つ以上の炭化水素化合物を熱分解し、基板上にアモルファスカーボン層を形成するステップとを備える方法。
IPC (6):
C23C 16/26
, B01J 19/08
, C23C 16/46
, H01L 21/027
, H01L 21/283
, H01L 21/3205
FI (6):
C23C 16/26
, B01J 19/08 H
, C23C 16/46
, H01L 21/283 D
, H01L 21/88 B
, H01L 21/30 574
F-Term (82):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075AA63
, 4G075BA01
, 4G075BC06
, 4G075BC10
, 4G075CA02
, 4G075CA62
, 4G075CA65
, 4G075CA66
, 4G075DA02
, 4G075EB42
, 4G075FB02
, 4K030AA09
, 4K030AA13
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA24
, 4K030BA27
, 4K030BB05
, 4K030BB12
, 4K030BB14
, 4K030CA04
, 4K030DA08
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030HA07
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA23
, 4K030KA41
, 4K030LA01
, 4K030LA15
, 4M104AA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB32
, 4M104DD08
, 4M104DD52
, 4M104EE05
, 4M104EE14
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP06
, 5F033PP14
, 5F033PP27
, 5F033QQ04
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ13
, 5F033QQ28
, 5F033QQ37
, 5F033RR01
, 5F033RR02
, 5F033RR04
, 5F033RR05
, 5F033RR08
, 5F033RR12
, 5F033SS15
, 5F033WW00
, 5F033WW02
, 5F033WW03
, 5F033WW04
, 5F033WW05
, 5F033WW06
, 5F033WW07
, 5F033XX24
, 5F033XX28
, 5F046PA11
, 5F046PA12
, 5F046PA13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-190034
Applicant:沖電気工業株式会社
-
反射防止コーティングおよびその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-149136
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
基板上にダイアモンド状カーボン・フィルムを付着する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-296206
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
特開平2-058221
-
微細接続孔の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-177186
Applicant:ソニー株式会社
-
薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-350779
Applicant:日本電気株式会社
-
炭素又は炭素を主成分とする被膜の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-371813
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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