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J-GLOBAL ID：200903068217197154

半導体デバイス、及びそのプローブテスト方法

Inventor： 鈴木 和彦
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996337581
Publication number (International publication number)：1998160806
Application date： Dec. 03, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 少ないプローブ数のプローブカードで半導体デバイスのプローブテストを行う。【解決手段】 半導体デバイス6に形成された電極の数よりも少ない数のプローブを備えたプローブカードを用い、1つのチップのプローブテストを複数回のテストに分けて行う。まず出力用プローブ3a1〜3a34を出力用電極71〜768の奇数番目のものに接触させて1回目のテストを実行する。2回目のテストは、プローブの接触位置を出力用電極71〜768のピッチ分だけ右にずらし、偶数番目のものに接触させて行う。入力用電極81〜834は細長に形成されているので、1回目と2回目のテストでは、入力用のプローブ3b1〜3b34は同じ入力用電極81〜834に接触させられる。2回目のテストでは1回目に測定できなかった項目をテストすると、合計2回のテストによって半導体デバイス6の良否を判定する。

Claim (excerpt)：

複数のプローブを備えたプローブカードを用い、半導体デバイスに形成された電極上にプローブを当接させて半導体デバイスのプローブテストを行う半導体デバイスのプローブテスト方法であって、前記プローブの本数は、一つの半導体デバイスに形成された電極の数よりも少なくし、前記一つの半導体デバイスのプローブテストを複数回のテストに分け、前記複数回のテストの各回ごとに前記プローブカードと前記半導体デバイスとを相対移動させ、前記複数のプローブのうち少なくとも一部のプローブがテスト毎に異なる電極に当接されるようにしたことを特徴とする半導体デバイスのプローブテスト方法。

IPC (3)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/00 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01R 31/28 K ,  G01R 31/00 ,  H01L 21/66 B