特許

J-GLOBAL ID：200903068217197154

半導体デバイス、及びそのプローブテスト方法

発明者： 鈴木 和彦
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337581
公開番号（公開出願番号）：特開平10-160806
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 少ないプローブ数のプローブカードで半導体デバイスのプローブテストを行う。【解決手段】 半導体デバイス6に形成された電極の数よりも少ない数のプローブを備えたプローブカードを用い、1つのチップのプローブテストを複数回のテストに分けて行う。まず出力用プローブ3a1〜3a34を出力用電極71〜768の奇数番目のものに接触させて1回目のテストを実行する。2回目のテストは、プローブの接触位置を出力用電極71〜768のピッチ分だけ右にずらし、偶数番目のものに接触させて行う。入力用電極81〜834は細長に形成されているので、1回目と2回目のテストでは、入力用のプローブ3b1〜3b34は同じ入力用電極81〜834に接触させられる。2回目のテストでは1回目に測定できなかった項目をテストすると、合計2回のテストによって半導体デバイス6の良否を判定する。

請求項（抜粋）：

複数のプローブを備えたプローブカードを用い、半導体デバイスに形成された電極上にプローブを当接させて半導体デバイスのプローブテストを行う半導体デバイスのプローブテスト方法であって、前記プローブの本数は、一つの半導体デバイスに形成された電極の数よりも少なくし、前記一つの半導体デバイスのプローブテストを複数回のテストに分け、前記複数回のテストの各回ごとに前記プローブカードと前記半導体デバイスとを相対移動させ、前記複数のプローブのうち少なくとも一部のプローブがテスト毎に異なる電極に当接されるようにしたことを特徴とする半導体デバイスのプローブテスト方法。

IPC (3件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/00 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01R 31/28 K ,  G01R 31/00 ,  H01L 21/66 B