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J-GLOBAL ID：200903068428353128

近接場光によるパターン形成方法およびその装置

Inventor： 河田 聡 ,  井上 康志
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001191780
Publication number (International publication number)：2003007599
Application date： Jun. 25, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 小型で高精度な制御ができる、探針を用いた近接場顕微鏡を発展させた近接場光リソグラフィーとして構成した近接場光によるパターン形成方法およびその装置を提供する。【解決手段】 光感光性レジスト8を塗布した面に近接場光を露光光源として照射しパターンを形成する近接場光によるパターン形成装置において、前記光感光性レジスト8の表面に配置され、前記近接場光を発生させる先端が極細の探針(カンチレバー)9と、この探針(カンチレバー)9の先端に前記光感光性レジスト8の裏面側から照射・収束させる青色半導体レーザ光の照射装置とを具備する。

Claim (excerpt)：

光感光性レジストを塗布した面に近接場光を露光光源として照射しパターンを形成する近接場光によるパターン形成方法において、前記近接場光を発生させる先端を極細にした探針を、前記光感光性レジストの表面に配置し、前記探針の先端にレーザ光を、前記光感光性レジストに照射・収束させることにより、電場増強された近接場光を用いることを特徴とする近接場光によるパターン形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 ,  B82B 3/00 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/06 ,  B23K 26/00 ,  B23K101:40

FI (6)：

B82B 3/00 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/06 ,  B23K 26/00 H ,  B23K101:40 ,  H01L 21/30 502 D

F-Term (8)：

4E068DA09 ,  5F046BA07 ,  5F046CA03 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073BA09 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 走査型光学顕微装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-286046   Applicant：有限会社千里応用計測研究所
• 光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-319781   Applicant：株式会社日立製作所
• 走査型プローブ顕微鏡、メモリー装置及びリソグラフィー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-239715   Applicant：キヤノン株式会社
• 微小領域感光方法、それを用いた光造形方法および感光性物質加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154778   Applicant：株式会社ニコン