半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996280790
Publication number (International publication number)：1997275164
Application date： Oct. 23, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】厚膜のBCB膜を誘電体膜に用いた信頼性の高いかつ挿入損失の低い半導体装置を提供する。【解決手段】基板501上に、接地導体膜502と、絶縁薄膜503と、BCB膜504とが順次形成されている。BCB膜504の上には、配線導体膜506が形成され、配線導体膜506の一部に、半導体チップ511がフリップチップ接続されている。すなわち、バンプ513を介して半導体チップ511の信号配線512が接続されている。BCB膜504を誘電体膜に用いたこのMFICは、BCB膜504の下地に絶縁薄膜503を形成しているので、BCB膜504の下地との密着性が改善され、BCB膜504の剥がれを防止することができ、信頼性の高い半導体装置を実現できる。

Claim (excerpt)：

基板及びその上に形成された誘電体膜を有する配線基板を備えた半導体装置において、上記誘電体膜は、上記基板の一部に形成されたベンゾシクロブテン膜(以下、BCB膜と略記する)と、上記BCB膜の上下のうち少なくともいずれか一方にかつ上記BCB膜に接して形成された絶縁薄膜とにより構成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 23/12 N , H01L 23/12 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-152696
特開平4-352387
半導体パッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-310512 Applicant：日本電気株式会社

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