半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997204076
Publication number (International publication number)：1999054828
Application date： Jul. 30, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】発振閾値電流を低減し、低消費電力で且つ高い信頼性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 pn界面に隣接した厚さ10nmから300nmの範囲の薄膜層を低キャリア濃度とする。具体的には、活性層の上下に配置され、導電性のそれぞれ異なるクラッド層を1E16cm-3から1E17cm-3の低いキャリア濃度で且つ10nmから300nmの層厚をもつ第1の上下クラッド層と5E17cm-3から1E18cm-3の高いキャリア濃度を有する第2の上下クラッド層の少なくとも上下の両クラッド層を2層以上の構成にする。

Claim (excerpt)：

n型GaAs基板上に、MOCVD法によって、順に、少なくとも、高濃度のSiドープn型AlGaAs第1クラッド層と、低濃度のSiドープn型AlGaAs第2クラッド層と、GaAsまたはAlGaAs活性層と、低濃度のZnドープp型AlGaAs第1クラッド層と、高濃度のZnドープp型AlGaAs第2クラッド層と、低濃度のZnドープp型AlGaAs第3クラッド層と、低濃度のSiドープn型AlGaAsまたはGaAs第1ブロック層と高濃度のSiドープn型AlGaAsまたはGaAs第2ブロック層を形成した半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-232938 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-101787 Applicant：サンケン電気株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-166621 Applicant：三菱電機株式会社

Show all

Return to Previous Page