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J-GLOBAL ID:200903068845156580

硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006173777
Publication number (International publication number):2008001828
Application date: Jun. 23, 2006
Publication date: Jan. 10, 2008
Summary:
【課題】 充填性、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率、基材に対する密着性が良好な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および該組成物を用いてなる、信頼性が優れる半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)一般式:R13SiO(R12SiO2)mSiR13(R1は一価炭化水素基、mは0〜100の整数)で表されるアルケニル基とアリール基を有するオルガノポリシロキサン、(B)平均単位式:(R2SiO3/2)a(R22SiO2/2)b(R23SiO1/2)c(R2は一価炭化水素基、a、b、cは特定の数)で表されるアルケニル基とアリール基を有するオルガノポリシロキサン、(C)一分子中、少なくとも平均2個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および(D)ヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
(A)一般式: R13SiO(R12SiO2)mSiR13 (式中、R1は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全R1の少なくとも2個はアルケニル基であり、全R1の少なくとも1個はアリール基であり、また、mは0〜100の整数である。) で表されるオルガノポリシロキサン 100質量部、 (B)平均単位式: (R2SiO3/2)a(R22SiO2/2)b(R23SiO1/2)c {式中、R2は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全R2の0.5モル%以上はアルケニル基であり、全R2の25モル%以上はアリール基であり、また、a、b、cはそれぞれ、0.30≦a≦0.60、0.30≦b≦0.55、a+b+c=1.00、および、0.10≦c/(a+b)≦0.30を満たす数である。} で表されるオルガノポリシロキサン 10〜150質量部、 (C)一分子中、少なくとも平均2個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン{(A)成分中および(B)成分中のアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜10モルとなる量}、 および (D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進する量) から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
IPC (6):
C08L 83/07 ,  C08L 83/05 ,  C08G 77/04 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00
FI (5):
C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C08G77/04 ,  H01L23/30 F ,  H01L33/00 N
F-Term (57):
4J002CP043 ,  4J002CP14W ,  4J002CP14X ,  4J002DA116 ,  4J002DD076 ,  4J002FD156 ,  4J002GQ05 ,  4J246AA03 ,  4J246AB01 ,  4J246BA02X ,  4J246BA020 ,  4J246BA04X ,  4J246BA040 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246BB04X ,  4J246BB040 ,  4J246BB043 ,  4J246CA01E ,  4J246CA01U ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA24E ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA34E ,  4J246CA34U ,  4J246CA34X ,  4J246CA340 ,  4J246CA40X ,  4J246CA400 ,  4J246FA232 ,  4J246FC012 ,  4J246GA04 ,  4J246GB02 ,  4J246GC18 ,  4J246GC23 ,  4J246GC24 ,  4J246GC37 ,  4J246GD08 ,  4J246HA29 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EB04 ,  4M109EC09 ,  4M109EC11 ,  4M109EC20 ,  4M109GA01 ,  5F041AA43 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA43 ,  5F041DA74
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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