炭素元素線状構造体を用いた電界効果トランジスタ化学センサー

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：石田敬 , 吉田維夫 , 鶴田準一 , 西山雅也 , 樋口外治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002247446
Publication number (International publication number)：2004085392
Application date： Aug. 27, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】ゲート電極の平面的な表面積を増大することなく検出感度が実効的に向上した電界効果トランジスタ利用の化学センサーを提供すること。【解決手段】半導体基板31に形成したソース領域32とドレイン領域34、ソース領域32とドレイン領域34間のチャネル部、及びこのチャネル部からゲート絶縁膜36により絶縁されたゲート電極52を有し、且つ、ソース領域32とドレイン領域34間に所定電圧を印加する電圧源46を含み、ゲート電極52が、上面を有する下方部分38と、その上面から上方に延び出した、カーボンナノチューブに代表される炭素元素線状構造体50により構成されている化学センサー30とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成したソース領域とドレイン領域、ソース領域とドレイン領域間のチャネル部、及びこのチャネル部からゲート絶縁膜により絶縁されたゲート電極を有し、且つ、ソース領域とドレイン領域間に所定電圧を印加する電圧源を含む化学センサーであって、ゲート電極が、上面を有する下方部分と、その上面から上方に延び出した炭素元素線状構造体により構成されていることを特徴とする化学センサー。

IPC (4)：

G01N27/414 , G01N27/30 , H01L29/06 , H01L29/78

FI (7)：

G01N27/30 301V , G01N27/30 F , G01N27/30 B , H01L29/06 601N , H01L29/78 301U , H01L29/78 301G , G01N27/30 301Y

F-Term (28)：

5F140AA00 , 5F140AA39 , 5F140AC37 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF13 , 5F140BF18 , 5F140BF21 , 5F140BF23 , 5F140BG26 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG45 , 5F140BG56 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ16 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CC03 , 5F140CC10 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

電界効果型化学物質検出装置およびそれを用いたDNA配列決定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-082263 Applicant：株式会社日立製作所
電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-367398 Applicant：株式会社豊田中央研究所
カーボンナノチューブを用いた3極電界放出素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-001103 Applicant：三星エスディアイ株式会社