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J-GLOBAL ID：200903069174383303

窒化物半導体基板及びその製造方法

Inventor：
大島 祐一

About 大島 祐一


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003385397
Publication number (International publication number)：2005145754
Application date： Nov. 14, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：
【課題】 結晶成長において発生する欠陥を低減した高品質な窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の窒化物半導体基板は10 mm以上の直径を有し、AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表される基本組成を有する窒化物半導体層からなる単層構造か、前記窒化物半導体層を含む複層構造を有し、前記窒化物半導体層の質量密度が、下記一般式(1):【数1】 (ax=aGaN+(aAlN-aGaN)xであり(aGaNはGaNのa軸長を表し、aAlNはAlNのa軸長を表す。)、cx=cGaN+(cAlN-cGaN)xであり(cGaNはGaNのc軸長を表し、cAlNはAlNのc軸長を表す。)、Mx=MGa+(MAl-MGa)xであり(MGaはGaの原子量を表し、MAlはAlの原子量を表す。)、MNは窒素の原子量を表し、Naはアボガドロ数を表す。)により表される質量密度の理論値ρ(x)の98%以上であることを特徴とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
直径が10 mm以上の窒化物半導体基板であって、AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表される基本組成を有する窒化物半導体層からなる単層構造か、前記窒化物半導体層を含む複層構造を有し、前記窒化物半導体層の質量密度が、下記一般式(1):
IPC (3)：
C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
FI (3)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
F-Term (35)：
4G077AA03 ,  4G077AB03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA04 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC03 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030LA11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA57 ,  5F045DA67 ,  5F045HA06 ,  5F045HA10 ,  5F045HA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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