III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002084963
Publication number (International publication number)：2003277195
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】反りの小さい自立したIII-V族窒化物系半導体基板を提供する。【解決手段】サファイア基板31上に、GaN低温バッファ層32を介してGaN層33をエピタキシャル成長させる。次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板31、GaN低温バッファ層32およびGaN層33の一部を除去することにより自立GaN基板35を得る(図3(b))。その後、この自立GaN基板35を電気炉に入れ、NH3雰囲気で1200°Cで24時間熱処理を行う。以上のようにして、表面転位密度4×107cm-2、裏面転位密度8×105cm-2、転位密度比50の自立GaN基板が得られる。この自立GaN基板35の反りは大幅に低減されていた。

Claim (excerpt)：

自立したIII-V族窒化物系半導体基板であって、転位密度の低い側の面の転位密度をn1、転位密度の高い側の面の転位密度をn2としたとき、n2/n1の値が750未満であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。

IPC (4)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

F-Term (36)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077FE02 , 4G077FE11 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 5F041AA40 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF20 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045DA67 , 5F073CA01 , 5F073CB05 , 5F073DA04 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-000072 Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

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