放射線検出装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005242724
Publication number (International publication number)：2006017742
Application date： Aug. 24, 2005
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：

【課題】 CsIの結晶性を向上させるとともに、デバイス特性を安定化させる。【解決手段】光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板上と、複数の画素を被覆してセンサー基板上に配置された保護層14と、複数の前記画素上において保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層15と、平坦化層の表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層16と、少なくともシンチレーター層と平坦化層とを被覆してセンサー基板及びシンチレーター層上に配置された光反射膜17と、を有する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板と、複数の前記画素を被覆して前記センサー基板上に配置された保護層と、複数の前記画素上において前記保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層と、前記平坦化層の前記表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を該光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層と、少なくとも前記シンチレーター層と前記平坦化層とを被覆して前記センサー基板及び前記シンチレーター層上に配置された光反射膜と、を有することを特徴とする放射線検出装置。

IPC (3)：

G01T 1/20 , H01L 31/09 , H01L 27/14

FI (6)：

G01T1/20 B , G01T1/20 E , G01T1/20 G , H01L31/00 A , H01L27/14 K , H01L27/14 D

F-Term (38)：

2G088EE03 , 2G088FF02 , 2G088GG16 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ10 , 2G088JJ37 , 4M118AA08 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA32 , 4M118CA40 , 4M118CB06 , 4M118CB11 , 4M118EA01 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA10 , 4M118GD15 , 4M118HA27 , 5F088AA03 , 5F088AB05 , 5F088BA01 , 5F088BB07 , 5F088CB06 , 5F088CB20 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088EA14 , 5F088GA02 , 5F088HA09 , 5F088HA12 , 5F088HA15 , 5F088KA08 , 5F088LA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

放射線検出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192899 Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Cited by examiner (8)

機械的に頑丈な非晶質シリコン作像装置を製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-208294 Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
薄膜イメージセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-004140 Applicant：株式会社日立製作所
特開平1-191087

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