結晶性SiC膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 田崎豪治 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004369581
Publication number (International publication number)：2006176811
Application date： Dec. 21, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】 500°C程度以下の低温基板温度で低抵抗率を有する結晶性SiC膜を効率的に作製しうる方法を提供する。【解決手段】基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を500°C以下、好ましくは300°C以下、として、好適にはシラザン類を用いて窒素をドーピングする。堆積は好適にはCVD法、そしてさらに好適には触媒CVD法による。シラザン類としては、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、もしくはジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を500°C以下として、窒素をドーピングすることを特徴とする結晶性SiC膜の製造方法。

IPC (1)：

C23C 16/42

FI (1)：

C23C16/42

F-Term (17)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA20 , 4K030BA37 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030FA07 , 4K030FA17 , 4K030JA10 , 4K030LA12 , 5F058BC20 , 5F058BF01 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ドーパント前駆体を用いた製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-565340 Applicant：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
シリコンカーバイド膜を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-031571 Applicant：日本エー・エス・エム株式会社
プラズマ処理装置及び構造体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-336572 Applicant：キヤノン株式会社

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