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J-GLOBAL ID：200903019076766582

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 宮坂 光敏 ,  小川 哲也 ,  時岡 秀忠 ,  佐藤 行雄 ,  井上 満夫 ,  笹川 智広
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999094350
Publication number (International publication number)：2000286211
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】 下地保護膜を堆積後、半導体膜を形成する。その後、波長が370nm以上710nm以下のパルスレーザー光を半導体膜に照射し、半導体膜の一部分を溶融させる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された硅素(Si)を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いて居る薄膜半導体装置の製造方法に於いて、基板上に下地保護膜と成る酸化硅素膜を形成する下地保護膜形成工程と、該下地保護膜上に硅素(Si)を主体とした半導体膜を形成する第一工程と、該半導体膜に370nm以上710nm以下の波長を有するパルスレーザー光を照射する第二工程とを含み、該パルスレーザー光の該半導体膜上に於ける照射エネルギー密度が該半導体膜の一部分を溶融させるのに十分な強度で有る事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/20

F-Term (9)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB03 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 薄膜トランジスタおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-274747   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051877   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-001583   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• ビームホモジナイザーおよびレーザー照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-052833   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066010   Applicant：三洋電機株式会社
• 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-056481   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所