酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：若林邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996077814
Publication number (International publication number)：1997270402
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】グローバルな平坦化が可能な絶縁膜層を高速に研磨するために好適な酸化セリウム研磨剤及びその酸化セリウム研磨剤を使用する基板の製造法を提供する。【構成】(1)3価の水に溶解しないセリウム化合物を水中に分散後固体状態のままで酸化処理を施した後、400°C以上で処理する、(2)3価の水溶性のセリウム化合物を溶解させた水溶液に炭酸水素アンモニウム等を添加して得られる非水溶性セリウム化合物(沈殿物)に酸化剤を滴下するで酸化処理を施した後、400°C以上で処理する、(3)4価のセリウム化合物を溶解させた水溶液にアンモニア水を添加する等により水溶液を中性、アルカリ性にして得られる非水溶性セリウム化合物を400°C以上で処理することにより得られた酸化セリウム粒子を水中に分散させたスラリーよりなる酸化セリウム研磨剤。所定の基板に形成された絶縁膜層を酸化セリウム研磨剤で研磨して基板を製造法する。

Claim (excerpt)：

酸化セリウム粒子を水中に分散させたスラリーを含む、所定の基板上に設けられた絶縁膜層を研磨する酸化セリウム研磨剤。

IPC (6)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24D 3/12 , C01F 17/00 , C09C 1/68 PAA , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/304 321 P , H01L 21/304 321 M , B24D 3/12 , C01F 17/00 A , C09C 1/68 PAA , H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-132978 Applicant：株式会社東芝
特開平4-055315
酸化第二セリウムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-229072 Applicant：昭和電工株式会社

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