半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996307443
Publication number (International publication number)：1998135475
Application date： Oct. 31, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。【構成】ソース/ドレイン領域に密着してシリサイド層を形成した後に残った金属層を選択的に残存させてコンタクトパッドや配線に用いる。

Claim (excerpt)：

ゲイト電極と、前記ゲイト電極よりも幅の広いゲイト絶縁膜と、活性層中に形成されたN型もしくはP型の1対の不純物領域と、前記ゲイト絶縁膜に対して自己整合的に形成された1対のシリサイド層と、前記シリサイド層に密着して設けられた金属層と、ゲイト電極より上層に設けられた上層配線層と、を有し、前記シリサイド層は、前記金属層を構成する金属元素と珪素を主成分とし、前記上層配線層は、前記金属層と少なくとも1つのコンタクトを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 616 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-213953 Applicant：シヤープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-095647 Applicant：新日本製鐵株式会社
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-167502 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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