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J-GLOBAL ID：200903069906188592

融合型化学・物理現象検出装置

Inventor：
澤田 和明

About 澤田 和明

, 
石田 誠

About 石田 誠


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002183980
Publication number (International publication number)：2004028723
Application date： Jun. 25, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】CMOS製造プロセスを用いて、安価に、しかも容易に製作ができる融合型化学・物理現象検出装置を提供する。【解決手段】同一センシング領域101に入ってくる、光情報と化学ポテンシャル情報を同時に取得して、その光情報と化学ポテンシャル情報をその素子内で分離し、外部にそれぞれ出力する融合型化学・物理現象検出装置において、前記同一センシング領域101において、光強度は電荷に変換し第1のMOSFET104のゲートを介して光電荷蓄積用拡散部となるドレイン領域に出力し、前記化学ポテンシャル情報は、薄い絶縁膜を介した半導体表面のポテンシャル変化に変換し第2のMOSFET108のゲートを介して化学情報蓄積用拡散部となるドレイン領域に出力する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
同一センシング領域に入ってくる、光情報と化学ポテンシャル情報を同時に取得して、該光情報と化学ポテンシャル情報をその素子内で分離し、外部にそれぞれ出力する融合型化学・物理現象検出装置において、 前記同一センシング領域において、光強度は電荷に変換し第1のMOSFETのゲートを介して光電荷蓄積用拡散部となるドレイン領域に出力し、前記化学ポテンシャル情報は、薄い絶縁膜を介した半導体表面のポテンシャル変化に変換し第2のMOSFETのゲートを介して化学情報蓄積用拡散部となるドレイン領域に出力することを特徴とする融合型化学・物理現象検出装置。
IPC (3)：
G01N27/414 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146
FI (5)：
G01N27/30 301U ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 K ,  G01N27/30 301Y ,  G01N27/30 301X
F-Term (5)：
4M118AB10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA40 ,  4M118CB11 ,  4M118FA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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