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J-GLOBAL ID:200903069956225154

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005079363
Publication number (International publication number):2006259509
Application date: Mar. 18, 2005
Publication date: Sep. 28, 2006
Summary:
【課題】解像力、真空中PED特性、ラインエッジラフネス、現像欠陥、アウトガスを同時に満足し、特にEUV光使用時における感度、溶解コントラストに優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)少なくとも、活性光線又は放射線の照射によりアリールスルホン酸を発生するスルホニウム塩構造を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(A1)で表される繰り返し単位及び一般式(A2)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位と、活性光線又は放射線の照射によりアリールスルホン酸を発生するスルホニウム塩構造を有する繰り返し単位とを有し、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)アミド又はトリス(アルキルスルホニル)メチンを発生する化合物 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3):
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (17):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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