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J-GLOBAL ID：200903070034492801

窒化物半導体装置及びその製造方法

Inventor：
中川 敦

About 中川 敦

, 
脇 英司

About 脇 英司


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004125322
Publication number (International publication number)：2005311029
Application date： Apr. 21, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】 電流コラプスを抑制することができる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層したIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に積層したIII-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない、微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極とを備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (14)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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