不揮発性半導体記憶素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：有我軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005030859
Publication number (International publication number)：2005328029
Application date： Feb. 07, 2005
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：

【課題】データの書き換え動作の速度の向上、素子の微細化、および、高密度化に資する不揮発性半導体記憶素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板1上に形成され、ソース領域6と、ドレイン領域7と、チャネル形成領域上に形成されたトンネル絶縁層2と、チャネルから注入された電荷を保持する電荷保持層3と、ゲート間絶縁層4と、制御ゲート5とを備え、電荷保持層3が、1012〜1014個/cm3の密度で独立分散した、粒子径5nm以下の浮遊ゲートとして機能する超微粒子(仕事関数が4.2eV以上)と、母相絶縁体(電子親和力が1.0eV以下の非晶質の物質)とによって構成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネルを形成するためのチャネル形成領域上に形成されたトンネル絶縁層と、前記トンネル絶縁層を通過して前記チャネルから注入された電荷を保持する電荷保持層と、前記電荷保持層上に形成されたゲート間絶縁層と、前記ゲート間絶縁層上に形成され前記電荷保持層に電荷を保持させまたは放出させる制御を行うための制御ゲートとを備えた不揮発性半導体記憶素子において、前記電荷保持層は、浮遊ゲートとして機能する単元素物質または化合物からなる粒子径が5nm以下の1個の超微粒子、または、1種類以上の前記単元素物質または前記化合物からなる、平均の粒子径が5nm以下で、1平方センチメートル当たり1012〜1014個の密度で独立分散した複数の超微粒子と、各前記超微粒子の一部または全部を取り囲む母相絶縁体とによって構成され、各前記超微粒子は、仕事関数が4.2eV以上の良導体材料からなり、前記母相絶縁体は、1.0eV以下の電子親和力を有する非晶質の物質からなることを特徴とする不揮発性半導体記憶素子。

IPC (5)：

H01L21/8247 , B82B1/00 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (3)：

H01L29/78 371 , B82B1/00 , H01L27/10 434

F-Term (20)：

5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP44 , 5F083EP49 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083GA01 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083PR22 , 5F101BA42 , 5F101BA45 , 5F101BA54 , 5F101BB05 , 5F101BD07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み消去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-357914 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

不揮発性半導体記憶素子および製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-213900 Applicant：小柳光正, 旭硝子株式会社
メモリ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-179818 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-287137 Applicant：株式会社東芝

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