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J-GLOBAL ID：200903070183323095

レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor：
武田 隆信

About 武田 隆信

, 
渡邊 修

About 渡邊 修


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004165553
Publication number (International publication number)：2005344009
Application date： Jun. 03, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：
【解決手段】 有機テルル化合物又は有機セレン化合物を重合開始剤として用いて、重合性モノマーをラジカル重合することによって得られたレジスト材料用高分子化合物。【効果】 本発明に係る有機テルル化合物又は有機セレン化合物を重合開始剤として用い、ラジカル重合を行うことによって得られる高分子化合物は、その分子量分布が従来の製造方法で得られるものよりも狭く、また共重合がリビング的に進行し、得られる共重合体はランダム性により優れ、これら高分子化合物をベース樹脂としてレジスト材料に配合することにより、レジスト膜の溶解コントラスト、解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが少ない特性を示すものであり、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
有機テルル化合物又は有機セレン化合物を重合開始剤として用いて、重合性モノマーをラジカル重合することによって得られたレジスト材料用高分子化合物。
IPC (6)：
C08F4/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (6)：
C08F4/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (37)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J015EA02 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07P ,  4J100AL02P ,  4J100AL03R ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BB17Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100FA08 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 特公平2-27660号公報
  • 特開昭63-27829号公報
  • 特開平3-275149号公報
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Cited by examiner (8)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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