半導体集積回路装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：玉村静世
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999014245
Publication number (International publication number)：2000216253
Application date： Jan. 22, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】レーザ熔断型ヒューズを用いることによって顕在化される信頼性低下を引き起こさないフリップチップ型半導体集積回路を提供する。【解決手段】フリップチップ型半導体集積回路に、アンチヒューズのようなプログラム素子を有する回路(85)採用する。前記プログラム素子は、その電流経路に所定の電位差が形成されることによって当該電流経路の状態が高抵抗状態から低抵抗状態に又は低抵抗状態から高抵抗状態に不可逆的に変化される構造を持つ。前記電位差を形成する為の電圧の入力端子はパッド電極(86,87)とされる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上の素子形成層に形成された複数の回路素子と、前記素子形成層の表面に形成され所定の前記回路素子に接続される複数の端子と、所定の前記端子に接続され前記素子形成層の上に延在する導電層と、前記導電層に接続された突起状電極と、を有し、前記回路素子の少なくとも一つとして、電流経路に所定の電位差が形成されることによって当該電流経路の状態が高抵抗状態から低抵抗状態に又は低抵抗状態から高抵抗状態に不可逆的に変化される構造のプログラム素子を有し、前記端子の少なくとも一つは、前記電位差を形成する為の電圧の入力端子であることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 21/82 , G11C 29/00 603 , H01L 23/12 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5)：

H01L 21/82 F , G11C 29/00 603 J , H01L 23/12 L , H01L 27/04 M , H01L 27/04 U

F-Term (20)：

5F038AV02 , 5F038AV15 , 5F038CA10 , 5F038DF05 , 5F038DF11 , 5F038DF16 , 5F038DT14 , 5F038DT15 , 5F064BB02 , 5F064BB12 , 5F064DD42 , 5F064FF36 , 5F064FF46 , 5L106CC02 , 5L106CC07 , 5L106CC13 , 5L106CC16 , 5L106CC17 , 5L106DD25 , 5L106DD35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-021521 Applicant：富士通株式会社
低電圧プログラム可能記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065640 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-160835 Applicant：株式会社日立製作所

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