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J-GLOBAL ID：200903070416345582

酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法

Inventor： 森嶋 浩之 ,  山本 靖浩 ,  野部 茂
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338327
Publication number (International publication number)：1997176574
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供する。【解決手段】 (A)一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、R′は炭素数1〜3のアルキル基、mは0、1または2を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する1価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜1000°Cで焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素子表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜1000°Cで焼成して酸化物被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。

Claim (excerpt)：

(A)一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、R′は炭素数1〜3のアルキル基、mは0、1または2を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する1価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液。

IPC (4)：

C09D183/04 PMS ,  B05D 7/24 302 ,  C08G 77/06 NUA ,  C23C 22/00

FI (4)：

C09D183/04 PMS ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08G 77/06 NUA ,  C23C 22/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• コーティング用組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-296953   Applicant：東レ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-118584   Applicant：触媒化成工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211699   Applicant：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
• 被覆剤の製造法並びに金属、金属合金およびプラスチツクの被覆方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-107272   Applicant：ワツカー-ケミーゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 特開昭57-105463
  
• 絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-136916   Applicant：川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
• シリコーンワニス、その製法およびシリコーンワニス含浸プリプレグ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-269982   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電化成株式会社