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J-GLOBAL ID：200903070494235670

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
池田 典弘

About 池田 典弘

, 
谷本 伸一

About 谷本 伸一


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000069181
Publication number (International publication number)：2000349153
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 比誘電率の低い層間絶縁膜を得て、特性の良好な半導体装置を提供すること。【解決手段】 単結晶シリコン基板1の上には、ライン状の導電層2が形成されている。導電層2の上には、比誘電率が小さい熱重合性炭化水素膜3が形成され、この炭化水素膜3の上には比誘電率が比較的小さい改質SOG膜マスク5が形成されている。この改質SOG膜マスク5は、炭化水素膜3に、導電層2に通じるコンタクトホール(ビアホール)6を形成するためのエッチングマスクとして機能する。更に、改質SOGマスク5の上に熱重合性炭化水素膜7が形成され、この炭化水素膜7には、コンタクトホール6に通じるトレンチ8が形成されている。そして、コンタクトホール6内及びトレンチ8内には、導電層2と電気的に接続する上層金属配線9が形成されている。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された第1絶縁膜と、この第1絶縁膜に形成された第1開口部と、前記第1絶縁膜の上に形成された前記第1開口部のエッチング用マスクと、前記第1開口部内に設けられた第1導電層とを備え、前記エッチング用マスクは低誘電率膜からなることを特徴とした半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312
FI (3)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/302 M
F-Term (69)：
5F004AA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN31 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27 ,  5F058AA10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG04 ,  5F058AG06 ,  5F058AH02 ,  5F058AH05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD19 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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