半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松山允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002094149
Publication number (International publication number)：2003297829
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】ゲート電極及びSi基板界面のラフネスが小さく、誘電率の高い金属絶縁膜を備えた低リーク且つ高信頼のMIS型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン酸化膜よりも熱的に安定な金属酸化物を含むゲート絶縁膜を有するMIS型半導体装置を製造するに際し、Si基板、ゲート絶縁膜、ポリSi電極及び電極側壁絶縁膜中にHeまたはNeを添加することで、シリサイド化の抑制と界面酸化膜厚増加の抑制を両立することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に、シリコン酸化膜よりも熱的に安定な金属酸化膜を含む絶縁膜を形成してなる半導体装置を製造する際に、前記絶縁膜形成前に前記シリコン基板中に窒素原子よりも原子半径の小さいHeまたはNeを導入する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 Y , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 N

F-Term (46)：

5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BE10 , 5F058BF14 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE01 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF38 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG38 , 5F140BG42 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BG50 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ23 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC04 , 5F140CC12 , 5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

メモリ・アプリケーション用の絶縁性の高い複合薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-004774 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平3-046226
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-075022 Applicant：富士通株式会社

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