Pat
J-GLOBAL ID:200903070878537797
半導体ウエハの接着前表面処理
Inventor:
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (5):
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004136254
Publication number (International publication number):2005142524
Application date: Apr. 30, 2004
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】 半導体ウエハの接着強度を高める前処理方法の提供。【解決手段】 二つの対応する接着表面で二枚のウエハを接着するプロセスであって、(a)少なくとも一つの接着表面を活性化させる工程と、(b)接着表面を接触させる工程とを備え、工程(a)は前記接触すべき表面をブラッシングすることにより行われるプロセス。さらにドナーウエハに起因する層を剥離するプロセスである。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
マイクロエレクトロニクス、光学又は光電子での応用のために、二つの対応する接着表面で二枚のウエハを接着するプロセスであって、
(a)少なくとも一つの接着表面を活性化させる工程と、
(b)前記接着表面を接触させる工程とを備え、
工程(a)は前記接触すべき表面をブラッシングすることにより行われることを特徴とするプロセス。
IPC (4):
H01L21/02
, H01L21/304
, H01L21/762
, H01L27/12
FI (7):
H01L21/02 B
, H01L21/304 644C
, H01L21/304 645C
, H01L21/304 645Z
, H01L21/304 647Z
, H01L27/12 B
, H01L21/76 D
F-Term (17):
5F032AA91
, 5F032CA05
, 5F032CA09
, 5F032CA13
, 5F032DA01
, 5F032DA21
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA33
, 5F032DA34
, 5F032DA41
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA67
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F032DA78
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
-
特開平4-119626
-
2つの材料の直接接合方法及び材料直接接合装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-287648
Applicant:日本電装株式会社
-
貼り合せ基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-119457
Applicant:信越半導体株式会社
-
SOI基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-052258
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
-
半導体素子用貼り合せシリコンウェーハの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-226121
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
-
シリコン半導体ウェーハ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-211043
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
-
特開平2-183510
-
特開平2-046722
-
特開昭64-037841
-
特開昭62-186938
Show all
Return to Previous Page