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J-GLOBAL ID:200903070878537797

半導体ウエハの接着前表面処理

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004136254
Publication number (International publication number):2005142524
Application date: Apr. 30, 2004
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】 半導体ウエハの接着強度を高める前処理方法の提供。【解決手段】 二つの対応する接着表面で二枚のウエハを接着するプロセスであって、(a)少なくとも一つの接着表面を活性化させる工程と、(b)接着表面を接触させる工程とを備え、工程(a)は前記接触すべき表面をブラッシングすることにより行われるプロセス。さらにドナーウエハに起因する層を剥離するプロセスである。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
マイクロエレクトロニクス、光学又は光電子での応用のために、二つの対応する接着表面で二枚のウエハを接着するプロセスであって、 (a)少なくとも一つの接着表面を活性化させる工程と、 (b)前記接着表面を接触させる工程とを備え、 工程(a)は前記接触すべき表面をブラッシングすることにより行われることを特徴とするプロセス。
IPC (4):
H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12
FI (7):
H01L21/02 B ,  H01L21/304 644C ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/304 645Z ,  H01L21/304 647Z ,  H01L27/12 B ,  H01L21/76 D
F-Term (17):
5F032AA91 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA13 ,  5F032DA01 ,  5F032DA21 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA41 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA67 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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