Pat
J-GLOBAL ID：200903070927550508

ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置

Inventor：
奥野 英一

About 奥野 英一

, 
山本 武雄

About 山本 武雄


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007125593
Publication number (International publication number)：2008282972
Application date： May. 10, 2007
Publication date： Nov. 20, 2008
Summary：
【課題】JBSのPNダイオードを構成する不純物層とショットキー電極とをオーミック接触させられるようにする。【解決手段】ショットキー電極4を複数の電極材料で構成し、上層電極4bをn-型ドリフト層2とショットキー接触させつつ、下層電極4aを各p型層8とオーミック接触させるようにする。これにより、ショットキーダイオード特性とPNダイオード特性の2つを兼ね備えたJBSとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、 前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、 前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部に開口部(3a)が形成された絶縁膜(3)と、 前記セル部に形成され、前記絶縁膜(3)の開口部(3a)を通じて、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)とを備えてなるショットキーバリアダイオード(10)と、 前記セル部の外周領域に形成され、前記ドリフト層(2)の表層部において、前記セル部を囲むように形成された第2導電型のリサーフ層(6)を含む終端構造と、 前記リサーフ層(6)の内側となる前記ショットキー電極(4)のうち前記ドリフト層(2)と接する領域の下方に、前記ドリフト層(2)の表面において前記ショットキー電極(4)と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第2導電型層(8)とを備え、 前記複数の第2導電型層(8)と前記ドリフト層(2)とによりPNダイオードが構成され、 前記ショットキー電極(4)は、前記複数の第2導電型層(8)とオーミック接触する電極材料で構成された第1電極(4a)と、前記第1電極(4a)と接触し、かつ、前記ドリフト層(2)とショットキー接触する電極材料で構成された第2電極(4b)と、を有していることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
F-Term (12)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM