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J-GLOBAL ID：200903070991822236

表面保護膜

Inventor： 楠田 豊 ,  本山 慎一 ,  大岸 厚文
Applicant, Patent owner： サムコ株式会社
Agent (2)： 小林 良平 ,  竹内 尚恒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003402815
Publication number (International publication number)：2005166400
Application date： Dec. 02, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】 有機EL素子等の封止に利用することのできる、耐酸素透過性・耐水分透過性に優れ、可撓性を有する表面保護膜を提供する。 【解決手段】 略平行に配された上部電極及び下部電極を反応室内に有するプラズマCVD装置を用いて、(1)珪素原子数が1〜4個、炭素原子数が4〜16個、窒素原子数が1〜4個である化合物のガスと、H2、N2、NH3のうちの少なくとも一種を含有するガスとの混合ガスを反応ガスとして、上部電極に高周波電力を投入することによりプラズマを生成して得られる第一の窒化珪素膜と、(2)前記と同一又は異なる、珪素原子数が1〜4個、炭素原子数が4〜16個、窒素原子数が1〜4個である化合物のガスと、H2、N2、NH3のうちの少なくとも一種を含有するガスとの混合ガスを反応ガスとして、下部電極に高周波電力を投入することによりプラズマを生成して得られる第二の窒化珪素膜と、を交互に積層することにより表面保護膜を形成する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

略平行に配された上部電極及び下部電極を反応室内に有するプラズマCVD装置を用いて、 珪素原子数が1〜4個、炭素原子数が4〜16個、窒素原子数が1〜4個である化合物のガスと、H2、N2、及びNH3からなる群から選ばれる少なくとも一種を含有するガスとの混合ガスを反応ガスとして、上部電極に高周波電力を投入することによりプラズマを生成して得られる第一の窒化珪素膜と、 上記と同一又は異なる、珪素原子数が1〜4個、炭素原子数が4〜16個、窒素原子数が1〜4個である化合物のガスと、H2、N2、及びNH3からなる群から選ばれる少なくとも一種を含有するガスとの混合ガスを反応ガスとして、下部電極に高周波電力を投入することによりプラズマを生成して得られる第二の窒化珪素膜と、 の積層膜を含むことを特徴とする表面保護膜。

IPC (9)：

H05B33/04 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (9)：

H05B33/04 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/318 M ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/90 M ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 619A

F-Term (59)：

3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BA07 ,  3K007BB02 ,  3K007CA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030GA11 ,  4K030JA01 ,  4K030JA18 ,  4K030LA18 ,  5F033GG04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045DP03 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20 ,  5F058BA07 ,  5F058BB10 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03 ,  5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置の保護膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284351   Applicant：川崎製鉄株式会社
• プラズマCVDを使用した有機EL保護膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-380053   Applicant：株式会社セルバック
• 有機エレクトロルミネッセンス表示装置等に用いる基板および有機エレクトロルミネッセンス表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-261105   Applicant：コニカ株式会社

Cited by examiner (5)

• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-093903   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
• 半導体装置ならびにその製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-271092   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の成膜処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体の薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-125545   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-220231   Applicant：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-186034   Applicant：松下電子工業株式会社