半導体装置の成膜処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体の薄膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：畑泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998125545
Publication number (International publication number)：1999176820
Application date： May. 08, 1998
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】炭素系膜および、シリコン酸化膜、窒化膜等の絶縁性膜を積層して形成する気相成長方法において、シリコン基板周辺部のシリコン酸化膜剥がれを防止する事が可能である半導体装置の成膜処理装置を提供する。【解決手段】成膜処理装置1のチャンバー2内には、被処理基板106を保持するホルダー部107、被処理基板106を当該ホルダー部107との間でチャックするリング状部材111、及び所定の反応ガスを供給する為の反応ガス供給手段104とが設けられており、リング状部材111は、その内径がホルダー部107の外径よりも小さく、且つその外径が当該ホルダー部107の外径よりも大きくなる様なディメンジョンを有し、当該リング状部材111は、反応ガスによる成膜処理が実行されている間、被処理基板107に搭載された被処理基板106の表面周縁部を同心円状に被覆する様に構成されている成膜処理装置1。

Claim (excerpt)：

半導体の製造工程に於いて使用される、被処理基板に炭素系層間膜等を形成する為のチャンバーを含む成膜処理装置であって、当該成膜処理装置の当該チャンバー内には、少なくとも、当該被処理基板を保持するホルダー部、当該ホルダー部の当該被処理基板を搭載する側の面と対向して設けられており、当該被処理基板を当該ホルダー部との間でチャックするリング状部材、及び所定の反応ガスを当該チャンバー内に供給する為の反応ガス供給手段とが設けられており、当該リング状部材は、その内径が当該ホルダー部の外径よりも小さく、且つその外径が当該ホルダー部の外径よりも大きくなる様なディメンジョンを有し、当該リング状部材は、該反応ガスによる成膜処理が実行されている間、当該被処理基板に搭載された被処理基板の表面周縁部を同心円状に被覆する様に構成されている事を特徴とする成膜処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 , H01L 21/205 , H01L 21/314

FI (3)：

H01L 21/31 C , H01L 21/205 , H01L 21/314 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

CVD装置、マルチチャンバ方式CVD装置及びその基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-174896 Applicant：日電アネルバ株式会社
静電チャックを備えたチャンバのためのプラズマガード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-270362 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-043561 Applicant：ソニー株式会社

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