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J-GLOBAL ID:200903071027858643
パワーモジュール用配線基板
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998276184
Publication number (International publication number):2000114425
Application date: Sep. 29, 1998
Publication date: Apr. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】絶縁基板の厚さが1mm以下と非常に薄い場合において、パワー素子の実装時などの大きな負荷に対しても大きなたわみ量を有する優れた耐久性を有するパワーモジュール用配線基板を提供する。【解決手段】厚さ1mm以下の絶縁基板1と、金属回路2とを具備してなるパワーモジュール用配線基板Aにおける絶縁基板として、窒化珪素を主成分とするセラミックスからなり、相対密度が90〜98.5%、室温におけるヤング率が300GPa以下、熱伝導率が40W/m・K以上、且つ室温における3点曲げ強度が700MPa以上であり、望ましくは、窒化珪素を主成分とし、希土類元素(RE)及びMgを酸化物換算による合量で4〜30モル%、希土類金属およびMgの酸化物換算によるモル比(RE2 O3 /MgO)が0.1〜15、且つAlの含有量が酸化物換算で1.0モル%以下のセラミックスにより形成する。
Claim (excerpt):
窒化珪素を主成分とするセラミックスからなり、厚さが1mm以下の絶縁基板と、該絶縁基板表面に設けられた金属回路とを具備してなり、前記セラミックスの相対密度が90〜98.5%、室温におけるヤング率が300GPa以下、熱伝導率が40W/m・K以上であり、且つ室温における3点曲げ強度が700MPa以上であることを特徴とするパワーモジュール用配線基板。
IPC (3):
H01L 23/15
, H01L 23/36
, H01L 23/373
FI (3):
H01L 23/14 C
, H01L 23/36 C
, H01L 23/36 M
F-Term (4):
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BB08
, 5F036BD14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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多層窒化けい素回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-246449
Applicant:株式会社東芝
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特開平4-175268
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回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-319369
Applicant:電気化学工業株式会社
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