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J-GLOBAL ID：200903071134775874

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 村上 智史 ,  山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  納 光明 ,  田中 幸夫 ,  平形 吉晴
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000057344
Publication number (International publication number)：2000353809
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 有機樹脂膜376上に、陽極酸化可能な材料からなる電極377、378と、その陽極酸化膜378と、その上の画素電極379〜382とで画素容量を形成する。この陽極酸化膜は、単位時間当たりの印加電圧が15V/minで陽極酸化され、電極配線の回り込みがないため、膜剥がれを防止できる。

Claim (excerpt)：

有機樹脂膜上に第1の電極と、該第1の電極の表面の少なくとも一部に酸化膜と、該酸化膜の少なくとも一部を覆って第2の電極とからなる容量を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (8)：

H01L 29/78 619 B ,  G02F 1/13 505 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/316 T ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 612 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-194451   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-163528
  
• 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置の構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-099795   Applicant：エルジー電子株式会社
• 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-355285   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253080   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 陽極酸化物及び陽極酸化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-074024   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-203559   Applicant：株式会社東芝