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J-GLOBAL ID：200903071158325535

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄

, 
猪口 和彦

About 猪口 和彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997197627
Publication number (International publication number)：1998093199
Application date： Jul. 23, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 信頼性に優れた内部電流狭窄型の窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板21と、基板21上に設けられた積層構造体200とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、この積層構造体200は、活性層24と、該活性層24を挟む一対のクラッド層23、25と、一対のクラッド層23、25のうち基板21から遠い方のクラッド層25上に形成された再蒸発層26と、再蒸発層26上に設けられ、活性層24の選択された領域に電流を狭窄するための開口部を持った内部電流狭窄層27と、内部電流狭窄層27の開口部を埋める再成長層28、29とを備えている。再蒸発層26は、内部電流狭窄層27に開口部を形成する工程でエッチストップ層として機能し、さらに過飽和吸収体として機能する。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に設けられた積層構造体とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、該積層構造体は、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層と、該一対のクラッド層のうち該基板から遠い方のクラッド層上に形成された再蒸発層と、該再蒸発層上に設けられ、該活性層の選択された領域に電流を狭窄するための開口部を持った内部電流狭窄層と、該内部電流狭窄層を覆う再成長層と、を備えており、該再蒸発層は、該内部電流狭窄層に該開口部を形成する工程でエッチストップ層として機能する、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (9)
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