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J-GLOBAL ID：200903071174106002

横方向に結晶化したELA多結晶SI膜を形成するために複数のマスクを使用してチャネル特性を最適化する方法

Inventor：
アポストロス ボウトサス

About アポストロス ボウトサス

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ジョン ダブリュー. ハーツェル

About ジョン ダブリュー. ハーツェル

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中田 行彦

About 中田 行彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394547
Publication number (International publication number)：2002246312
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：
【要約】【課題】 各所望の結晶配向に対する異なるマスクパターンを選択することによってデバイスの異なる領域への所望のTFTチャネル配向に適合するように結晶配向を選択する方法を提供する。【解決手段】 基板上に多結晶領域を形成する方法は、第1のマスクパターンを選択する工程と、基板の初期領域にわたって基板を照射するように第1のマスクパターンを通じてレーザービームを方向付ける工程と、横方向結晶化プロセスを使用して初期領域をアニーリングする工程と、第2のマスクパターンを選択する工程と、基板の第2の領域にわたって基板を照射するように第2のマスクパターンを通じてレーザービームを方向付ける工程と、横方向結晶化プロセスを使用して第2の領域をアニーリングする工程とを包含する。
Claim (excerpt)：
a)第1のマスクパターンを選択する工程と、b)基板の初期領域にわたって該基板を照射するように該第1のマスクパターンを通じてレーザービームを方向付ける工程と、c)横方向結晶化プロセスを使用して該初期領域をアニーリングする工程と、d)第2のマスクパターンを選択する工程と、e)該基板の第2の領域にわたって該基板を照射するように該第2のマスクパターンを通じて該レーザービームを方向付ける工程と、f)横方向結晶化プロセスを使用して該第2の領域をアニーリングする工程とを包含する、基板上に多結晶領域を形成する方法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (22)：
2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  5F052AA02 ,  5F052BA12 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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