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J-GLOBAL ID：200903076252340191
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997029946
Publication number (International publication number)：1998229217
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ウエハ面内で均一な発光波長を持ち、且つ発光波長の注入電流依存性が小さく、発光効率が高く、寿命の長い青緑色、緑色、黄緑色の発光素子を得ること。【解決手段】 III-V族窒化物半導体を発光層とする半導体発光素子であり、発光層は単-半導体層構造または単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、且つ単-半導体層または単位井戸層の層厚が1原子層数乃至15原子層数で構成されることを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
III-V族窒化物半導体を発光層とする半導体発光素子において、発光層は単-半導体層構造または単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、且つ単-半導体層または単位量子井戸層の層厚が1原子層数乃至15原子層数で構成されることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-036250
Applicant：日亜化学工業株式会社
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窒化ガリウム系半導体光発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-213412
Applicant：株式会社東芝
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3族窒化物半導体発光素子の製造方法及びその装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-202997
Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
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