プラズマ処理方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：亀谷美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999261877
Publication number (International publication number)：2000156370
Application date： Sep. 16, 1999
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】処理室内の接地された各部材の消耗を軽減可能な処理装置を提供する。【解決手段】エッチング装置100の処理室102内には,下部電極106と,処理容器104を介して接地された上部電極108が対向配置される。下部電極106には,第1フィルタ118と第1整合器120と第1電源122から成る高周波電力供給機構114と,第2フィルタ124と第2整合器126と第2電源128から成る低周波電力供給機構116が接続される。下部電極106には,第1電源122から出力される10MHz以上の高周波電力成分と,第2電源128から出力される2MHz以上の低周波電力成分から成る2周波重畳電力が印加される。プラズマ中のイオンは,処理室102中の電界の変化に追従せずに,自己バイアス電圧によって加速されて下部電極106上のウェハWにのみに衝突する。

Claim (excerpt)：

真空処理室内において,電極に周波数がfHIGHである高周波電力成分と周波数がfLOWである低周波電力成分を重畳して印加することにより処理ガスをプラズマ化し,該プラズマにより前記電極に載置された被処理体に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において,前記周波数fLOWは,前記プラズマ中のイオンが前記処理室中の電界の変化に追従できない程度の周波数に制御されることを特徴とする,プラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

物質処理用容量結合式二重周波数プラズマリアクタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-160452 Applicant：バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-244011 Applicant：日電アネルバ株式会社
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-007991 Applicant：株式会社日立製作所

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