プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：金本哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302502
Publication number (International publication number)：1997186141
Application date： Oct. 28, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】プラズマ密度の均一性を確保しつつしかも高いプラズマ密度の下で、被処理体に対し、ダメージのない高速かつ均一な処理を実施できるプラズマ処理装置を得る。【解決手段】処理容器3内にサセプタ6と上部電極32とを対向して設け、サセプタ6には第1の高周波電源41から相対的に低い周波数の高周波電力を印加し、上部電極32には第2の高周波電源44から相対的に高い周波数の高周波電力を印加する。ウエハW上に一様な一方向傾斜磁場を形成するダイポールリング51を処理容器3外周に配置する。ダイポールリング51の磁界によって、ウエハW上には電子溜まりが形成されず、均一な処理が行える。磁界形成によってプラズマ密度は高い。プラズマ中のイオンは、低い周波数の高周波でウエハWへの入射エネルギーが制御される。

Claim (excerpt)：

2つの電極を処理容器内に対向配置し、この処理容器内にプラズマを発生させると共に、磁界発生手段によって前記処理容器内に磁界を発生させて前記電極のうちの一方の電極上の被処理体に対して処理を施す処理装置であって、前記一方の電極は相対的に低い周波数の高周波電力を出力する第1の高周波電源と接続され、他方の電極は相対的に高い周波数の高周波電力を出力する第2の高周波電源と接続され、前記磁界発生手段は、前記処理容器外周に円環状に配設されて被処理体上に一方向傾斜磁場を形成する複数の永久磁石を有し、さらにこれら永久磁石は、前記処理容器の外周を前記円環状に回転自在であることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , C23C 14/40 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 C , C23C 14/40 , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-312231
マグネトロンプラズマエッチング用磁場発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351141 Applicant：信越化学工業株式会社
マグネトロン反応性イオン処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243520 Applicant：株式会社東芝

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