プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998007991
Publication number (International publication number)：1999204297
Application date： Jan. 19, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】大口径のウエハに対してもエッチングレートや選択比の均一性を確保し易いプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】高周波電源が前記一対の電極間に10MHzないし300MHzの高周波電力を印加するものとし、一対の電極の間隙が15mm以上100mm以下であり、この一対の電極の少なくとも一方に接する面において前記高周波電源により生じる電界と交差する方向に静磁場もしくは低周波磁場を形成する磁場形成手段を備え、この磁場形成手段は、前記一対の電極間に形成されるプラズマのシース部において該シースに対して略平行な2ガウス以上100ガウス以下の強度の磁場を形成し、該磁場と前記電界との相互作用により、電子サイクロトロン共鳴または電子シース共鳴を生成する。

Claim (excerpt)：

真空処理室と、一対の電極を含むプラズマ生成手段と、前記電極の一方を兼ねるとともに該真空処理室内で処理される試料を載置する試料載置面を有する試料台と、前記真空処理室を減圧する減圧手段とを有するプラズマ処理装置において、前記一対の電極間に10MHzないし300MHzの高周波電力を印加する高周波電源と、前記一対の電極の少なくとも一方のプラズマに接する面において前記高周波電源により生じる電界と交差する方向に、100ガウス以下の範囲で任意に制御可能な強度の静磁場もしくは低周波磁場を形成する磁場形成手段とを備え、前記一対の電極の少なくとも一方のプラズマに接する側の面の近傍の略全面に対応する位置において、前記磁場と前記電界との相互作用により、電子サイクロトロン共鳴(ECR-S)、または電子シース共鳴(ESR)を生成することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (6)：

H05H 1/46 M , H05H 1/46 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , H01L 21/205 , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-244011 Applicant：日電アネルバ株式会社
特開平4-346225
特開平4-348027

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