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J-GLOBAL ID：200903071569965314

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor：
小島 淳

About 小島 淳

, 
ラジェシュ クマール

About ラジェシュ クマール


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001259997
Publication number (International publication number)：2003068760
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】小型化を図ることができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】n型のSiC基板1の上に、エピタキシャル層よりなるn-ドリフト層2と、エピタキシャル層よりなるp型の第1のゲート層3と、エピタキシャル層よりなるn型のソース層4とが順に積層され、トレンチ5の内壁にエピタキシャル層よりなるn型のチャネル層6が形成されるとともにその内方にp型の第2のゲート層7が形成されている。セル外周側においてドリフト層2が露出し、ドリフト層2の上面にショットキー電極12が配置されるとともにショットキー電極12の下のドリフト層2の表層部にp型の不純物領域13が形成されている。
Claim (excerpt)：
高濃度の第1導電型のSiC基板(1)の上に、エピタキシャル層よりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、エピタキシャル層よりなる第2導電型の第1のゲート層(3)と、エピタキシャル層よりなる第1導電型のソース層(4)とが順に積層されるとともに、前記ソース層(4)と第1のゲート層(3)とを貫通してドリフト層(2)に達するトレンチ(5)が形成され、さらに、このトレンチ(5)の内壁にエピタキシャル層よりなる第1導電型のチャネル層(6)が形成されるとともにその内方に第2導電型の第2のゲート層(7)を形成した炭化珪素半導体装置において、前記トレンチ(5)を形成したセル部の外周側において前記ドリフト層(2)を露出させ、露出させたドリフト層(2)の上面にショットキー電極(12)を配置するとともに当該ショットキー電極(12)の下のドリフト層(2)の表層部に第2導電型の不純物領域(13)を形成して、ジャンクションバリア・コントロールド・ショットキー構造のボディダイオードとしたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (9)：
H01L 21/337 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/329 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/872
FI (6)：
H01L 29/80 C ,  H01L 29/80 P ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/48 D
F-Term (21)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB05 ,  5F102GC01 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR07 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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