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J-GLOBAL ID：200903071625704596

磁気抵抗効果膜、それを備えたメモリ素子及びそれを用いたメモリ

Inventor：
池田 貴司

About 池田 貴司


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001245423
Publication number (International publication number)：2003060261
Application date： Aug. 13, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 垂直磁化膜の磁化反転磁界を低減させ、作成が容易で歩留まりの低下やコストの著しい増加を招くことのない磁気抵抗効果膜を提供することさらには消費電力の少ないメモリを提供する。【解決手段】 零磁場中でかつ他の磁性体との交換力が働いていない状態で磁化が膜面垂直方向から傾いた方向に向いている磁性膜である第一の磁性膜111、垂直磁化膜である第二の磁性膜112、非磁性膜113および垂直磁化膜である第三の磁性膜114が順次形成されている。第一の磁性膜と第二の磁性膜は交換結合している。第二の磁性膜の磁化は、零磁場において少なくとも非磁性膜との界面付近では膜面垂直方向に向いているか、あるいは膜面垂直方向に磁界を印加したときには容易に膜面垂直方向に向くようにしておく。 垂直磁化膜に零磁場中でかつ他の磁性体との交換力が働いていない状態で磁化が膜面垂直方向から傾いた方向に向いている磁性膜を交換結合させる。
Claim (excerpt)：
非磁性膜が磁性膜に挟まれている構造を持った磁気抵抗効果膜において、前記磁性膜の少なくとも一方が垂直磁化膜であり、該垂直磁化膜に接して,且つ前記非磁性膜には接しない位置に、磁化容易軸が膜面垂直方向から傾いている磁性膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (9)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (9)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447
F-Term (14)：
5D034BA02 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA08 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083JA36 ,  5F083PR00 ,  5F083PR03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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