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J-GLOBAL ID:200903071832115622

静電駆動スイッチ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004246434
Publication number (International publication number):2006066178
Application date: Aug. 26, 2004
Publication date: Mar. 09, 2006
Summary:
【課題】MEMS素子などの微細な構造体から構成された異なる形態の素子を、LSIなどが形成されている半導体基板の上にモノリシックに搭載できるようにする。【解決手段】平板可動電極105の側部に接続するばね梁107、ばね梁107を層間絶縁層102の上に固定するアンカー108、平板可動電極105の下面に固定された接点電極109、層間絶縁層102の上に配設された駆動電極部110、信号配線部111を備えたスイッチ構造を備え、スイッチ構造を取り囲む側壁枠103とこの上の天井壁104を備え、これらでスイッチ構造を取り囲む容器が構成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体基板の上に形成された前記半導体基板の面に対向する天井壁とこの天井壁を前記半導体基板の上に支持する側壁枠とを備えた容器と、 前記容器の内部の前記半導体基板の上に形成されて前記容器の内部に封止された素子と を少なくとも備え、 前記素子は、 支持部にバネ梁を介して前記半導体基板の上に空間を空けて支持された可動体と、 この可動体の前記半導体基板側の下面に配置された接点電極と、 前記可動体の下に配置された信号線と、 前記可動体の下に配置されて前記可動体を静電力により引きつける駆動電極と から構成され、 前記接点電極と前記信号線との電気的導通状態によるスイッチ素子である ことを特徴とする静電駆動スイッチ。
IPC (5):
H01H 59/00 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01H 49/00 ,  H02N 1/00
FI (5):
H01H59/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00 J ,  H02N1/00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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