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J-GLOBAL ID：200903092403890984

RFMEMSスイッチ

Inventor：
川合 浩史

About 川合 浩史


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 五十嵐 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003347181
Publication number (International publication number)：2004208275
Application date： Oct. 06, 2003
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：
【課題】 RFMEMSスイッチの挿入損失や反射損失の低減、アイソレーション特性の向上を図る。【解決手段】 高周波信号導通部3の上方側に複数の可動電極10a,10bを高周波信号導通部3の高周波信号導通方向に間隔を介して配置する。全ての可動電極10a,10bを同時に高周波信号導通部3に対する遠近方向の同じ抜きに変位させる手段を設ける。可動電極10a,10bが高周波信号導通部3から離れる方向に変位して高周波信号導通部3の信号導通がオンしている時に、各可動電極10a,10bにそれぞれ対向する高周波信号導通部3の位置で反射される信号の合成信号の振幅が、各可動電極10a,10bに対向する位置で反射される単独の反射信号の振幅よりも小さく抑えられるように、各可動電極10a,10b間の高周波信号導通部3を介した電気的な長さを設定する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、この高周波信号導通部の上方側に高周波信号導通部の信号導通方向に間隔を介して配列されている複数の可動電極と、これら複数の可動電極を同時に高周波信号導通部に対して遠近方向の同じ向きに変位させる可動電極変位手段とを有し、その可動電極変位手段によって、全ての可動電極が高周波信号導通部から離れる方向に変位して設定の信号オン位置に配置されたときに高周波信号導通部の高周波信号の導通をオンさせ、全ての可動電極が高周波信号導通部に近付く方向に変位して設定の信号オフ位置に配置されたときに高周波信号導通部の高周波信号の導通をオフさせる構成と成しており、可動電極が設定の信号オン位置に配置されているときに、各可動電極にそれぞれ対向する高周波信号導通部の位置でそれぞれ反射される高周波信号の合成信号の振幅が、複数の可動電極のうちのそれぞれ単一の可動電極に対向する高周波信号導通部の位置で反射された信号の振幅よりも小さく抑えられるように、各可動電極間の高周波信号導通部を介した電気的な長さが設定されていることを特徴とするRFMEMSスイッチ。
IPC (1)：
H01P1/12
FI (1)：
H01P1/12
F-Term (1)：
5J012AA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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