シリコン単結晶製造方法および半導体形成用ウェハ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：正林真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999078666
Publication number (International publication number)：2000154095
Application date： Mar. 23, 1999
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】シリコン単結晶のサイズの如何に拘わらず、特にボイド欠陥の水素ガスによる欠陥消失効果を深層部まで及ぼすことができるようにする。【解決手段】ウェハの熱酸化処理をした際に発生する酸化誘起積層欠陥部(OSFリング)の半径がウェハ外縁に発現開始する領域からウェハ半径の1/2までの領域に発現される条件でシリコン単結晶を引き上げて製造する。

Claim (excerpt)：

ウェハの熱酸化処理をした際にリング状に発生する酸化誘起積層欠陥部(以下OSFリングという)の半径がウェハ外縁に発現開始する領域からウェハ半径の1/2までの領域に発現される条件でシリコン単結晶を引き上げて製造することを特徴とするシリコン単結晶製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , C30B 15/20 , C30B 33/02 , H01L 21/324

FI (5)：

C30B 29/06 502 J , C30B 15/00 Z , C30B 15/20 , C30B 33/02 , H01L 21/324 X

F-Term (14)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF00 , 4G077EH07 , 4G077EH09 , 4G077FE11 , 4G077GA01 , 4G077HA12 , 4G077PA06 , 4G077PF08 , 4G077PF16 , 4G077PF17 , 4G077PF34 , 4G077PF35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリコン単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-148939 Applicant：住友シチックス株式会社
水素熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-027213 Applicant：コマツ電子金属株式会社
シリコン単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-172237 Applicant：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社

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