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J-GLOBAL ID：200903071960648285

加熱装置およびこれに用いるガイドリング

Inventor： 金子 等 ,  久保田 光治
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社 ,  タクトフィールド株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136452
Publication number (International publication number)：1999330214
Application date： May. 19, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハ等の被加工品を均一に加熱できるようにし、成膜加工等が高精度で行えるようにする。【解決手段】 平板状の被加工品を載置して加熱するステージと、該ステージ上に載置された被加工品を支持するガイドリング40とを備えた加熱装置において、前記ガイドリング40に被加工品の外周縁部を加熱するヒータを内蔵させ、該ヒータの加熱温度を制御するガイドリング温度制御部42を設ける。前記ステージおよびガイドリング40は温度検知用のセンサの検知結果に基づきステージ温度制御部22およびガイドリング温度制御部42によって温度制御される。

Claim (excerpt)：

平板状の被加工品を載置して加熱するステージと、該ステージ上に載置された被加工品を支持するガイドリングとを備えた加熱装置において、前記ガイドリングに被加工品の外周縁部を加熱するヒータを内蔵させ、該ヒータの加熱温度を制御するガイドリング温度制御部を設けたことを特徴とする加熱装置。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体ウェハ加熱装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-103129   Applicant：京セラ株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-232711   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-098924   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
• 気相反応装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156044   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社