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J-GLOBAL ID：200903072052532570

液晶表示装置の製造方法

Inventor：
嶋田 吉祐

About 嶋田 吉祐


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999063830
Publication number (International publication number)：2000258799
Application date： Mar. 10, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】 少ない製造工程で製造でき、かつ、膜剥がれによる製造歩留りの低下を防止することにより低コスト化を図れるアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 高抵抗半導体膜4および低抵抗半導体膜5をフォトエッチングすることにより形成される半導体膜パターンと、該半導体膜パターン上に積層されたソース金属膜層である第3金属膜7とを有する薄膜トランジスタ21がマトリクス状にガラス基板1上に形成されている液晶表示装置の製造方法において、上記半導体膜パターンを形成した後に、該半導体膜パターンが形成されたガラス基板1上に、上記第3金属膜7を積層する。
Claim (excerpt)：
薄膜トランジスタがマトリクス状に形成され、薄膜トランジスタを制御するゲート信号線および薄膜トランジスタにデータ信号を供給するソース信号線がそれぞれ直交する形で形成され、薄膜トランジスタを介してソース信号線と接続される画素電極を有し、画素電極と画素電極に対向して設けられた対向電極との間に液晶材料が保持されている液晶表示装置の製造方法において、基板上に、第1金属膜および第2金属膜を順に積層した後、第1次のフォトエッチングを行い、上記薄膜トランジスタ、ゲート信号線、およびゲート信号線の外部引き出し電極部をそれぞれ形成する段階と、上記第1次のフォトエッチングによるパターンが形成された基板の全面に絶縁膜、高抵抗半導体膜、及び低抵抗半導体膜を順に積層する段階と、上記低抵抗半導体膜及び高抵抗半導体膜に対し、第2次のフォトエッチングを行い、上記薄膜トランジスタに半導体膜パターンを形成する段階と、上記半導体膜パターンを形成した基板の全面に透明導電膜、第3金属膜、および第4金属膜を順に積層する段階と、上記第4金属膜、第3金属膜、透明導電膜、および半導体膜パターンの低抵抗半導体膜に対し、第3次のフォトエッチングを行い、上記ソース信号線、ソース信号線の外部引き出し電極部、上記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極および画素電極を形成する段階と、上記ソース・ドレイン電極および画素電極を形成した基板全面に保護膜を形成する段階と、上記保護膜、および絶縁膜に対し、第4次のフォトエッチングを行い、上記ゲート信号線の外部引き出し電極部、ソース信号線の外部引き出し電極部、および画素電極を露出させる段階と、露出した上記ゲート信号線の外部引き出し電極部、ソース信号線の外部引き出し電極部、および画素電極の第2金属膜、第3金属膜、第4金属膜をエッチングする段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 D
F-Term (68)：
2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB14 ,  2H092KB23 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA32 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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