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J-GLOBAL ID：200903072062133291

化学的機械研磨装置及びウェーハ

Inventor： 藤田 隆 ,  木下 修
Applicant, Patent owner： 株式会社東京精密
Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004131325
Publication number (International publication number)：2005317625
Application date： Apr. 27, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】メタル膜などを有するウェーハの電解研磨において、ウェーハへの安定した通電状態を維持できる化学的機械研磨装置及びこれに対応したウェーハを提供する。【解決手段】スラリーを供給しながら、表面に導電性膜が形成されたウェーハWを研磨パッド20に押付けるとともに、ウェーハと研磨パッドとの間に電圧を印加して電解作用を行わせながら表面を平坦化する化学的機械研磨装置である。ウェーハWに給電する電極15が、JIS K6253で規定されるゴム硬度90以下の部材よりなる基部15Aと、基部の表面に設けられる電気抵抗が100Ω以下の導電層15Bよりなる。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

スラリーを供給しながら、表面に導電性膜が形成されたウェーハを研磨パッドに押付けるとともに、前記ウェーハと前記研磨パッドとの間に電圧を印加して電解作用を行わせながら前記表面を平坦化する化学的機械研磨装置において、 前記ウェーハに給電する電極が、JIS K6253で規定されるゴム硬度90以下の部材よりなる基部と、該基部の表面に設けられる電気抵抗が100Ω以下の導電層とよりなることを特徴とする化学的機械研磨装置。

IPC (3)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

FI (3)：

H01L21/304 622G ,  B24B37/00 Z ,  B24B37/04 E

F-Term (7)：

3C058AA07 ,  3C058AB09 ,  3C058AC01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 研磨方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-152415   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-335171   Applicant：シャープ株式会社
• 研磨方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-152415   Applicant：ソニー株式会社
• 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-142632   Applicant：株式会社東京精密, 土肥俊郎
• 研磨パッド及びこれを用いた研磨装置、研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-300834   Applicant：株式会社東京精密, ユニチカ株式会社, ユニチカファイバー株式会社, 土肥俊郎